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PRODUCTS CNTER符合 RoHs 标准的 918D 系列光电二极管传感器是校准光电二极管传感器,有着可提高性能的高级功能。在市场上具有最小的校准不确定性用于热漂移补偿的内部温度传感器集成衰减器,可选择范围为 10X 到 1000X衰减器开/关传感器自由空间和光纤测量符合 RoHS 标准
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型号 | 光谱范围 | 最大测量功率1 | 最小测量功率2 |
918D-IG-OD1R光学功率探测器,铟镓砷,800-1650 nm,OD1 衰减器 | 800 – 1650 nm | 100 mW | 20 pW |
918D-IG-OD2R光学功率探测器,铟镓砷,800-1650 nm,OD2 衰减器 | 800 – 1650 nm | 1000 mW | 20 pW |
918D-IG-OD3R光学功率探测器,铟镓砷,800-1650 nm,OD3 衰减器 | 800 – 1650 nm | 2000 mW | 20 pW |
918D-IR-OD1R光学功率探测器,铟镓砷,800-1650 nm,OD1 衰减器 | 780 – 1800 nm | 100 mW | 5 nW |
918D-IR-OD2R光学功率探测器,锗,780-1800 nm,OD2 衰减器 | 780 – 1800 nm | 1000 mW | 5 nW |
918D-IR-OD3R光学功率探测器,锗,780-1800 nm,OD3 衰减器 | 780 – 1800 nm | 2000 mW | 5 nW |
918D-SL-OD1R光学功率探测器,硅,400-1100 nm,OD1 衰减器 | 400 – 1100 nm | 40 mW | 20 pW |
918D-SL-OD2R光学功率探测器,硅,400-1100 nm,OD2 衰减器 | 400 – 1100 nm | 400 mW | 20 pW |
918D-SL-OD3R光学功率探测器,硅,400-1100 nm,OD3 衰减器 | 400 – 1100 nm | 2000 mW | 20 pW |
918D-UV-OD3R紫外硅探测器,200-1100 nm,OD3 衰减器 | 200 – 1100 nm | 200 mW | 20 pW |
与 1830-R、1918-R、1936-R 或者 2936-R 台式光功率计一起使用时。
与 1936-R 或者 2936-R 台式光功率计一起使用时。
光电二极管的一个自然特性是其光学响应随半导体材料带隙附近的温度变化而变化。Newport的918D系列传感器在光电二极管附近有一个热电偶,它允许特定的Newport仪表读取温度并自动调整响应速度,确保准确的测量。
光电二极管传感器的最大可测量功率取决于多种因素,例如入射光的波长、光电二极管电流输出饱和度、温度、衰减器的使用和功率计的最大电流输入值。 Newport 提供基于功率计型号的最大功率规格,带或不带衰减器,以及与波长相关的最大功率电平。 考虑到这些影响可测量功率的因素,为您的应用选择合适的探测器至关重要。
918D 系列光电二极管探头通过先进功能提升性能,旨在使其优于 Newport 经过业内验证的 818 系列校准光电二极管探头。它们具有集成的校准数据存储器、内置 OD1、OD2 或 OD3 衰减片(带有电子衰减片开/关传感器)以及用于温度漂移补偿的传感电子器件(可使探测器在温度变化时测量更为准确)。
OD3 衰减技术将我们探测器的校准光学动态范围扩展了三个数量级。我们的衰减器设计提供高损伤阈值和光谱平坦度。通过与 Newport 正在使用的光电二极管相关联的低 NEP,实现了更宽的动态范围。对于小于 1 mW 的输入功率,我们建议将衰减器置于 OFF 位置(对于 918D-UV-OD3R 在 200 – 400 nm 之间则为 0.1 mW),使信噪比达到最大。该衰减器的通光孔径为 10.3mm。
918D 系列包括一个采用 NIST 可追溯标准,利用 Newport 光学探头校准设施维护的高精度设备完成的全光谱响应校准。严格的校准设备和过程控制可实现业内超严格的校准不确定性。每个探头都附有校准数据,这些数据以电子形式存储在探测器的 EEPROM 中。每个探头都附有校准证书以及衰减器模式和无衰减器模式下的实际校准曲线和数据。为了保持精度、保证性能,Newport 建议每年对光电二极管探头进行校准。
探测头上的内部温度传感器用于补偿光电二极管温度变化引起的响应度漂移。响应度变化在带隙附近最敏感,功率计计算温度并自动更新响应度值,以便测量保持准确。1936-R、2936-R、1919-R和841-PE-USB型功率计启用此功能。
这些光电二极管传感器可以转换为测量连接光纤或裸光纤的光功率。Newport提供了一套全面的旋入式光纤转接件可匹配多种连接器类型。我们的裸光纤支架和转接件支架设计在一起,可容纳250-µm裸光纤,并且不会损坏光纤。
光电二极管由一个类似于激光二极管和LED的半导体p-n结组成。然而,所涉及的基本辐射过程是吸收。落在p-n结上的光子导致电子-空穴对的形成。在光伏模式下,电子-空穴对迁移到p-n结的两侧,从而产生电压。半导体光子源和光子探测器之间的一个关键区别是前者需要使用直接带隙半导体,而后者可以使用间接带隙半导体。由于能量和动量守恒需要同时满足,间接带隙半导体中光子发射的可能性大大降低,但吸收的情况并非如此。当电子在导带中被激发到一个高水平,随后在弛豫过程中其动量转移到声子,一个容易实现的两步过程将会实现。由于这一过程可以是连续的,因此它比两个步骤必须同时发生的发射过程更有可能发生。
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