半导体晶圆缺陷检测仪是半导体制造全流程中用于识别晶圆表面及内部各类缺陷的核心分析仪器，覆盖从裸片来料检验到封装的全制程质量管控。
它依托光学、电子束与智能算法三类核心技术实现缺陷识别：
光学检测：集成激光散射、暗场/明场成像、光致发光等手段，深紫外激光器可捕捉亚微米级颗粒、划痕等表面缺陷，差分干涉相衬技术能识别纳米级表面形貌起伏。
电子束检测：用聚焦电子束逐点扫描，生成高分辨率二次电子图像，专门针对光学手段难以捕捉的纳米级电性缺陷、埋层微结构异常进行精准复查。
AI智能分析：通过机器学习算法自动完成缺陷分类，生成缺陷分布帕累托图，直接对接产线工艺优化闭环。
设备内置隔振大理石基座、恒温、洁净气路，隔绝震动、温度波动、粉尘干扰；晶圆传输采用洁净机械手，检测过程不新增二次污染，适配半导体百级、千级洁净车间环境。
核心功能
1. 缺陷识别：覆盖无图形裸晶圆和有图形晶圆，可检出颗粒污染、划痕、崩边、针孔、残留光刻胶、图形缺失、桥连、短路、断线、尺寸偏移、CMP 抛光不均等各类表面与结构缺陷，同时支持晶圆正面、背面、边缘区域检测。
2. 缺陷精准定位与 Mapping：自动记录每一处缺陷在晶圆坐标系中的位置，生成晶圆缺陷分布图(Wafer Map)，直观展示缺陷分布规律，判断缺陷是随机污染还是系统性工艺问题。输出标准 Klarf 格式文件，可对接复检设备、工厂 MES 系统。
3. 缺陷自动分类与统计：依托传统图像算法与深度学习模型，自动区分缺陷类型、尺寸、严重等级，统计缺陷密度、各类缺陷占比，过滤噪点、伪缺陷，降低人工复核工作量。
4. 工艺监控与根因辅助分析：持续跟踪各工序缺陷变化趋势。当某类缺陷突然增多时，工程师可快速定位是机台污染、光刻参数漂移、刻蚀异常还是耗材问题，为工艺调优、机台维护提供数据支撑，从源头控制良率损失。
5. 自动化批量检测：搭配 FOUP 晶圆盒自动上下料，实现 24 小时无人值守连续检测；支持不同尺寸晶圆(6 英寸、8 英寸、12 英寸)切换，适配研发小批量验证与量产线在线抽检。
更新时间：2026-10-30
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