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硅探测器• 室温型探测器• 使用范围：200-1100nm• 两种型号的探测器室的外观相同，其中：• DT-Si200型内装进口紫敏硅光电探测器• DT-Si300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器
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硅探测器
• 室温型探测器
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技术指标＼型号名称 | DT-Si200 紫敏硅探测器 | DT-Si300 蓝光增强型硅探测器 |
| 进口紫外增强型 | 进口蓝光增强型 |
有效接收面积(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) |
波长使用范围(nm) | 200-1100 | 350-1100 |
峰值波长(nm)，典型值 | 820nm | 970nm |
峰值波长响应度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) |
典型波长的响应度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm |
响应时间(μs) | 5.9 | 2 |
工作温度范围(℃) | -10～+60 | -10～+60 |
储存温度范围(℃) | -20～+70 | -20～+70 |
分流电阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) |
等效噪声功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 |
*大操作电流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 |
结电容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 |
信号输出模式 | 电流 | 电流 |
输出信号极性 | 正（P） | 正（P） |
硅探测器
公司邮箱： qgao@buybm.com
服务热线： 021-61052039
公司地址： 上海市浦东新区叠桥路456弄创研智造C7区301室
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