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InGaAs系列常温型铟镓砷探测器

简要描述:铟镓砷探测器(常温型)
• DT-InGaAs1650型内装国产InGaAs元件
• DT-InGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
• DT-InGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-11-22
  • 访  问  量:706

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详细介绍

品牌其他品牌应用领域医疗卫生,环保,生物产业,农业,地矿

InGaAs系列常温型铟镓砷探测器


特点:

G12181-030K

长波长类型(截止波长:1.9 μm)

- 截止波长:1.9 μm

- 低成本

- 受光面:φ3 mm

- 低噪声

- 高灵敏度

- 高可靠性

- 高速响应

G12183-030K

长波长类型(截止波长:2.6 μm)

- 截止波长:2.6 μm

- 低成本

- 受光面:φ3 mm

- 低噪声

- 高灵敏度

- 高可靠性

- 高速响应

参数

型号/参数G12181-030KG12183-030K
受光面φ3.0 mmφ3.0 mm
像素数11
封装金属金属
封装类别TO-5TO-5
散热非冷却型非冷却型
灵敏度波长范围0.9 到 1.9 μm0.9  2.6 μm
最大灵敏度波长(典型值)1.75 μm2.3 μm
感光灵敏度(典型值)1.1 A/W1.3 A/W
暗电流(最大值)1000 nA300000 nA
截止频率(典型值)1.5 MHz0.8 MHz
结电容(典型值)2000 pF4000 pF
噪声等效功率(典型值)2.0×10-13 W/Hz1/23×10-12 W/Hz1/2
测量条件典型值Tc=25°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ= λp,暗电流:VR=0.5V,截止频率:VR=0V,RL=50Ω,结电容:VR =0V,f=1MHz典型值Tc=-25°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ =λp,暗电流:VR=0.5V,截止频率:VR =0VRL= 50Ω,结电容:VR =0Vf =1MHz

光谱灵敏度特性

          G12181-030K                                          G12183-030K

InGaAs系列常温型铟镓砷探测器2.jpgInGaAs系列常温型铟镓砷探测器3.jpg

 外形尺寸图(单位:mm)

InGaAs系列常温型铟镓砷探测器4.jpg

InGaAs系列常温型铟镓砷探测器




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