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InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器

简要描述:InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器低成本、低噪声、高灵敏度、高可靠性、高速响应

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-05-09
  • 访  问  量:1191

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详细介绍

品牌其他品牌应用领域医疗卫生,环保,生物产业,农业,地矿

InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器


特点

G12181-230K

长波长类型(截止波长:1.85 μm)

- 截止波长:1.85 μm

- 两级电子冷却型

- 低成本

- 受光面:φ3 mm

- 低噪声

- 高灵敏度

- 高可靠性

- 高速响应 

 

 

G12183-230K

长波长类型(截止波长:2.55 μm)

- 截止波长:2.55 μm

- 两级电子冷却型

- 低成本

- 受光面:φ3 mm

- 低噪声

- 高灵敏度

- 高可靠性

- 高速响应

 

 

参数:

型号/参数

G12181-030K

G12183-230K

受光面

φ3.0 mm

φ3.0 mm

像素数

1

1

封装

金属

金属

封装类别

TO-8

TO-8

散热

两级电子冷却型

两级电子冷却型

灵敏度波长范围

0.9 到 1.85 μm

0.9 到 2.55 μm

最大灵敏度波长(典型值)

1.75 μm

2.3 μm

感光灵敏度(典型值)

1.1 A/W

1.3 A/W

暗电流(最大值)

50 nA

60000 nA

截止频率(典型值)

1.9 MHz

1 MHz

结电容(典型值)

1700 pF

3200 pF

噪声等效功率(典型值)

3.5×10-14 W/Hz1/2

6×10-13 W/Hz1/2

测量条件

典型值 Tc=-20°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ=λp,暗电流:VR=0.5 V,截止频率:VR=0V,RL=50Ω,结电容:VR=0V,f=1MHz

典型值 Tc=-20°C,除非另有说明,感光灵敏度:λ=λp,暗电流:VR=0.5 V,截止频率:VR=0 V,RL=50Ω,结电容:VR=0V,f =1MHz

 

光谱灵敏度特性

 InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器2.jpegInGaAs系列制冷型铟镓砷探测器3.jpeg

外形尺寸图(单位:mm)

InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器4.jpeg

InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器

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