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InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器低成本、低噪声、高灵敏度、高可靠性、高速响应
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InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器
G12181-230K 长波长类型（截止波长：1.85 μm） - 截止波长：1.85 μm - 两级电子冷却型 - 低成本 - 受光面：φ3 mm - 低噪声 - 高灵敏度 - 高可靠性 - 高速响应
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G12183-230K 长波长类型（截止波长：2.55 μm） - 截止波长：2.55 μm - 两级电子冷却型 - 低成本 - 受光面：φ3 mm - 低噪声 - 高灵敏度 - 高可靠性 - 高速响应
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型号/参数 | G12181-030K | G12183-230K |
受光面 | φ3.0 mm | φ3.0 mm |
像素数 | 1 | 1 |
封装 | 金属 | 金属 |
封装类别 | TO-8 | TO-8 |
散热 | 两级电子冷却型 | 两级电子冷却型 |
灵敏度波长范围 | 0.9 到 1.85 μm | 0.9 到 2.55 μm |
最大灵敏度波长（典型值） | 1.75 μm | 2.3 μm |
感光灵敏度（典型值） | 1.1 A/W | 1.3 A/W |
暗电流（最大值） | 50 nA | 60000 nA |
截止频率（典型值） | 1.9 MHz | 1 MHz |
结电容（典型值） | 1700 pF | 3200 pF |
噪声等效功率（典型值） | 3.5×10-14 W/Hz1/2 | 6×10-13 W/Hz1/2 |
测量条件 | 典型值 Tc=-20°C，除非另有说明，感光灵敏度：λ=λp，暗电流：VR=0.5 V，截止频率：VR=0V，RL=50Ω，结电容：VR=0V，f=1MHz | 典型值 Tc=-20°C，除非另有说明，感光灵敏度：λ=λp，暗电流：VR=0.5 V，截止频率：VR=0 V，RL=50Ω，结电容：VR=0V，f =1MHz |
InGaAs系列制冷型铟镓砷探测器
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