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显微荧光成像系统

简要描述:S-MPL系列显微荧光成像系统
光致发光(photoluminescence)即PL,是用紫外、 可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半 导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波 长如325nm、532nm、785nm等)激发材料(如 GaN、ZnO、GaAs等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽 度等。

  • 产品型号:S-MPL系列
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-06-20
  • 访  问  量:1041

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S-MPL系列显微荧光成像系统简介

  • 光致发光(photoluminescence)即PL,是用紫外、 可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半 导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波 长如325nm、532nm、785nm等)激发材料(如 GaN、ZnO、GaAs等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽 度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境 原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析 方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等 相关领域被广泛应用。
  • 传统的荧光光谱仪一般采用透镜收光的方式,针对发光 非常微弱的纳米材料,即便用激光器激发,也很难获得 较好的信号。结合多年的实际测样经验,我司推出了显 微PL系统,采用显微物镜收光,较传统的荧光光谱仪其 收光效率提升了至少3个数量级,因此特别适用于传统 荧光系统难以检测到的微弱信号,另外其辅助的白光成 像功能,还可以实现微区(微米级)定位测量。

应用领域:

  • 半导体材料
  • 二维材料
  • 纳米材料
  • 薄膜材料
  • 光波导器件
  • LD, LED外延片

产品特点:

  • 光谱范围:200-1700nm
  • 光斑大小:≤10μm(325nm激光、100X物镜)
  • 光谱分辨率:优于0.1nm
  • 白光成像分辨率:亚微米级
  • 激光器:266nm、325nm、360nm、405nm、488n- m、510nm、532nm、633nm、785nm等可选
  • 样品台:手动/电动可选
  • 采谱模式:单点扫描/线扫描可选

 S-MPL系列显微荧光成像系统系统功能:

  • 微区PL测量
  • 可同时配置多路激光器
  • 自由光路耦合,保障大光效率
  • 显微光路设计,保障大激发、收集效率
  • 高精度位移台,实现微米级定位测量

扩展功能:

  • 微区电致发光(EL)测量
  • 荧光寿命测量:ps-ms量级
  • 自动Mapping功能:50mm×50mm行程,步进精度 1μm
  • 光电流谱(成像)测量
  • 光电材料响应度测试
  • 变温附件:77K-600℃/4K、10K超低温

S-MPL系列显微荧光系统 

 

 

 

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